kaip padaryti Pass įtaisas LDO?

F

fanrong

Guest
Hi everyone:

Aš projektavimas LDO IC su įėjimo įtampa nuo 3 - 12V.Ar pratraukite įtaisas turi būti pateiktas LDMOS?
Does anyone know vystymosi istorija LDMOS pavyzdžiui, kaip seniai
DMOS procesas buvo atsižvelgta LDO IC kūrinius, ir kurie IC korp's
LDO ir kuris LDO produkciją imtis LDMOS processs?
Someone tell me LDMOS sumažėjimas pratraukite prietaiso dėl pasipriešinimo.Ar tai tiesa?
Ar LDMOS LDO's trumpo jungimo apsauga ir apriboti srovės skiriasi
nuo LDO-ųjų normalus procesas?Parašytas po 17 minučių:Kitus klausimus:
Norėdami pereiti prietaisas 'ai išdėstymas yra kompaktiškas, kaip
jungiant substrato šališkumo, pavyzdžiui, jei
pratraukite prietaisas PVO, kaip šališkumo substratas
tiekimo.
Ar LDMOS bus klausimą lengva?Parašytas po 15 minučių:Koks yra skirtumas tarp LDMOS ir skirtumas
CMOS, pvz riba įtampos, srovės
atžvilgiu?
Kažkas man labiausiai LDMOS vartai yra uždara
arba tranzistorius's layouted kaip tinklelis.Ar tai tiesa?
Jei taip, kodėl?

 
Jau yra daug CMOS procesą, kuris gali palaikyti HV bent 12V kaip Flash makro reikia 12.5V Mokesčio siurblys, todėl jums gali neprireikti LDMOS.
Atsiprašome, kad aš nežinau LDMOS.Negali teikti papildomos pagalbos.If u need help apie LDO dizainą, galime pasidalinti, o

 
Ačiū už atsakymą!

Kai kurie žmonės man sako LDMOS gali sumažėti on-resisttence nuo
pratraukite prietaisas.Tačiau kai kurie kiti žmonės sako, kad ne, būtinų.
Taigi man reikia iš kai kas sukurta LDO pasiūlymas.

 
Apskritai DMOS prietaisai geriau RDSonA tada NMOS ar PVO įtaisai (už panašiai vardinė įtampa prietaisas).Todėl jums mažesnio pasipriešinimo įrenginys už tą patį plotą su DMOS palyginti su NMOS ar PVO.Thats why you see DMOS prietaisai, naudojami dideliems swithces labai Lowe RDSon.

Kaip kai kurie iš jūsų kitų klausimų, jei turite naudoti LDMOS jūsų pratraukite prietaisas, gerai, kad tikrai priklauso nuo V studijų ir išėjimo įtampa tikitės.Jei norite 3V ir 2.8V out, gerai jums reikia sukurti dar aukštesnės įtampos vairuoti vartų.Į kai kuriuos procesus dirbau dėl LDMOS prietaisai V studijų yra didesnis tada jam prilygintas vardinė įtampa NMOS prietaisas.Net didesnis VT Ron paprastai yra daug mažesnis su DMOS.Taigi, jei jums reikia 2.8V dėmesį nuo 3V, ir jūs nenorite pridėti Charge Pump ar kažką panašaus, kad PVO jungiklis yra kelias.

Taigi tikrai viskas priklauso nuo jūsų projekto poreikius ir kas proceso parametrai yra jūsų LDMOS prietaisai.

 
Sveiki marių,
Kodėl DMOS RdsON geriau nei įprastinių MOP?DMOS buvo truputį priedais nutekėjimo (dreifo) regione ir kad turėtų pabloginti įtaiso RdsON?Gal galėtumėte paaiškinti šiek tiek daugiau apie tai?Ačiū.

 
Aš ne vaikinas procesas, todėl aš nenoriu patekti į visas difuzijos ir kita.Apskritai, kaip jums padidinti įtampą dėl NMOS prietaisas minimalus ilgis vartų išlaiko daugiau ir daugiau, todėl jos mažinimui RDSon poveikis.Tačiau, DMOS prietaisas, kaip jis pagamintas, vartai ilgis paprastai baigiasi yra daug mažesni už similiarly įtampa vertinta NMOS prietaisas.Vartai ilgis baigiasi yra didžiulis faktorius RDSon skaičiavimai

Pradedate matyti daugiau naudos ir daugiau, kaip jums padidinti įtampą jūsų prietaise.Kai pradėsite gauti virš 20V VDS vertinta prietaisus (bent jau procesų Aš dirbau), galite pradėti rodyti DMOS RDSon yra daug mažesnis, tada NMOS įtaisas toje pačioje srityje.

 
Matau, kad prasminga, palyginti NMOS ir DMOS paties įtampai, aš galvojau kitaip.

 
Taigi, kaip apie LDO su Vin = 12, IO = 400mA, RON = 1?

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top