Jis yra tranzistorius, kurie "bulk" arba "įstaiga" terminalas izoliacijos medžiagų (pavyzdžiui, SiO2 arba Saphire) vietoj puslaidininkių (pvz., silikono).Birių terminalas SOI tranzistorius iš esmės yra kairėje plūduriuoja.Energijos taupymo ir Soi daugiausia kalbama apie iš taupymo dinaminės galia nuo parazitinių capacitances už SOI tranzistorius paprastai yra mažiau, o urmu prietaisai.Dėl tos pačios priežasties, SOI įtaisai paprastai yra greitesnė, tačiau yra tam tikrų sankcijų mokėti:
- Potencialo kuris slankiojo organas posėdžiauja daro tranzistorius priklauso nuo ankstesnės veiklos (kaip seniai ji buvo įjungtas pagaliau, ką narėje buvo saugomi iki srovės jungiklis).Tai vadinama SOI istorija poveikis.Jame laiko analizė skaitmeninio dizaino truputį sudėtingiau, nei birių ir daro Analog dizainas LOT sunkiau.
- Floating įstaiga poveikį reikia skirti daugiau kryžminių sujungti inverteriai į SRAM bitų ląstelių ir FIFO / skląsčiai todėl srityje Išminčius SOI kartais praranda palyginti su tokio paties dydžio geometrija urmu procesas.
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.
