POLY į Transistor išdėstymas

[Willt]

Hi friends,

I'm rengiant išdėstymo Naujokas.Paprastas klausimas: Nuorodas į pridedamą diagramą, kodėl ten minimalus atstumas tarp aktyvaus ir POLY?Tai palikti veiksmingas plotis (Weff) lygus tranzistorius plotis sudarytas?Arba dėl kitų priežasčių?

Jūsų komentaras yra labai vertinami ~

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Very Happy" border="0" />Valia
Atsiprašome, bet jums reikia prisijungęs, kad galėtumėte peržiūrėti šį priedą

 

[Shohdy]

Labas,
Šis minimalus atstumas yra užtikrinti, kad nutekėjimas ir šaltinio sritis nebus trumpuoju viena kitai gaminant šį prietaisą.
Gaminti priemonių šio prietaiso, Poly yra kaupiamos per subestrate pirma, šalia yra implantuoti su reikalinga difuzijos N substratą arba p , todėl, jei poli buvo nevisiškai padengs tranzistorius aktyviosios paviršiaus, kaip parodyta paveiksle, mažas legiruoto CHANNAL bus egzistuoti tarp ištakos ir santakos sritis SHORTING juos tarpusavyje.

Hope this helps,

Linkėjimai,
Shohdy
Atsiprašome, bet jums reikia prisijungęs, kad galėtumėte peržiūrėti šį priedą

 

[Willt]

Hi Shohdy,

Man dabar ~ Ačiū už aiškų paaiškinimą ~

Valia

 

[NightHawk_099]

Ačiū už įvaizdį.Jis leidžia lengviau suprasti.

 

[soorajsram]

Shohdy yra visiškai teisus.