Mažas elektros energijos, žemos įtampos srovės šaltinis

[raducrv]

Man reikia dizaino LP lv srovės šaltinio, Vin = 3 -> 5,5 V; Iout = 1μA + / - 20%, T =- 40 laipsnių (C) ... 90 laipsnių (C)

 

[keanhong2]

T =- 40 laipsnių (C) ... 90 laipsnių (C). I nesuprantu?

 

[erikl]

C elsius, aš atspėti ;-)

 

[raducrv]

taip, Celsijaus

 

[erikl]

Man reikia dizaino LP lv srovės šaltinio, Vin = 3 -> 5,5 V; Iout = 1μA + / - 20%, T =- 40 laipsnių (C) ... 90 laipsniu ( C)

Naudokite kažką panašaus į tai:

 

[raducrv]

patinka tai, ką

<span style="color: grey;"><span style="font-size: 10px">---------- Pranešimas Parašytas at 20:17 ---------- Ankstesnė žinutė buvo 20:11? - --------</span></span>
Gerai, ačiū, bandysiu tas. Ačiū. bet kokią papildomą informaciją, yra sveikintina

 

[erikl]

... bet kokią papildomą informaciją, yra sveikintina

Ne lengva, nežinant jūsų proceso tech.

 

[raducrv]

pagal procesą galite kreiptis, naudojant tranzistors (PVO, NMOS), turiu daryti prieskonių modelis (ltspice)

 

[erikl]

Gerai, tada galite pradėti nuo pasiūlymų [URL = "http://www.edaboard.com/thread202946.html # post855978"] pirmiau [/URL] ir analizuoti savo prieskonių modeliai!

 

[raducrv]

Thanks a lot

 

[leo_o2]

Sunku buvo + / -20% srovės tikslumas standartas procesas. Apipjaustymas grandinė yra reikalinga.

 

[raducrv]

tai ideea, nes jis buvo daug lengviau gauti nuolatinės srovės šaltinis, todėl mūsų mokytoja turėjo kvailas ideea: P

 

[erikl]

Sunku buvo + / -20% srovės tikslumas standartas procesas

Tiesa.. Bet tai gali būti padaryta, bent jau srovės keletą nA asortimentą. Žiūrėkite čia:

... iš šios knygos: [P73] G. De Vita G. Iannaccone, 109 NW, 44 ppm / ° C, CMOS Dabartinis Nuoroda su mažo jautrumo proceso kaitos, IEEE tarptautinis simpoziumas schemos ir sistemos, 2007 (ISCAS 2007), pp . 3804-3807, Naujasis Orleanas, JAV, 27-30 gegužė 2007 [URL = "http://www.iannaccone.org/articles/proceedings/ "]... galima iš čia [P73]. [/URL]

 

[Sonnenmann]

Maitinimo įtampa variantų nėra problema, simplke ptat struktūra + CTAT šaltinis turėtų būti pajėgios veikti tai. Iš technologie parametrų kitimas yra problema. Pavartojus šio šaltinio, ir imituoti su blogiausia galia blogiausio greičio parametrus, jums se pokytis yra + / - 20%, taip pat. Dabartinis šaltinių vis dar yra, priklausomai nuo atsparumo ir tai negalėjo suvokti, kad tiksli.

 

[leo_o2]

Rezultatas iš daugelio kortelių negalima pasitikėti masinės gamybos. + / -20% Srovės tikslumas lustas be apdailos masinės gamybos yra sunku pasiekti. Paprastai rezistorius bus> + / -30% variacijos.

 

[erikl]

... Paprastai rezistorius bus> + / -30% variacijos.

Sveiki, Liūtas, tu negali perskaityti šį dokumentą iš [URL = "http://www.edaboard.com/thread202946.html # post857071"] pirmiau? [/URL] KT šaltinis gali būti sukurtos be rezistorius, tik individualiai, procesas priklausomas (μ [SIZE = "1"] n [/SIZE] / μ [SIZE = "1"] p [/SIZE] santykis priklauso) srovė, tačiau. Tačiau ši srovė gali būti dauginamos savavališkai, be abejo.

 

[FvM]

Jūs parodė pavyzdžiai srovės šaltinio nejautrus VT variantus. Bet tai bus dar daroma P? Geriausiu atveju, pokytis yra mažesnis už įprastą varžai, aš manau. Ar iš pradžių prašė 20% pradinio tikslumas įmanomas be apdailos?

 

[erikl]

... Ar iš pradžių prašė 20% pradinio tikslumas įmanomas be apdailos?

Tiesą sakant, nežinau, FVM. Dabartinis išsisklaidymas iš vienos plokštelių - matuojant 20 mėginių tik, žinoma, nėra daug geros statistikos - parodė 1σ std. nuokrypis apie 2% (s. 6 pav. pirmoji pusė popierius), todėl