Kodėl kompensuoti įtampa MOP tranzistorius yra mažesnis nei Bipolar

[hr_rezaee]

labas
Kodėl kompensuoti įtampa MOP tranzistorius yra mažesnis už kompensuojamas įtampa Rectifier?
Prašome atsakyti, ir jei galite įvesti nuorodos.
linkėjimai

 

[pixel]

hr_rezaee rašė:

labas

Kodėl kompensuoti įtampa MOP tranzistorius yra mažesnis už kompensuojamas įtampa Rectifier?

Prašome atsakyti, ir jei galite įvesti nuorodos.

linkėjimai

 

[kwkam]

Nesutapimas, priklauso nuo grandinės projektavimo ir gamybos proceso atitikimo.Bet ne, priklauso nuo MOS arba bipolinis.

Btw, ususally Dies tranzistorius yra mažesnės VBE atitikimo nei MOP Vt

 

[hr_rezaee]

pixel wrote:

Galite apskaičiuoti, tačiau netrukus bipolars yra eksponentinis ir MOS () ^ 2 charakteristikas (žemesnės GM).
Tai reiškia, kad pats ΔI nesutapimas Diferencialinė pora (pvz., dėl rezistorius nesutapimas) gamins smalled Input Voltage nesutapimą iš bipolars atveju ...

 

[tandr]

Bet kai kurie vadovėliai sako PVP mažai Offset Voltage?

 

[hr_rezaee]

tandr rašė:

Bet kai kurie vadovėliai sako PVP mažai Offset Voltage?

 

[electronrancher]

Bipolar yra visada geriau, nei suderintos MOSFET.tikriausiai 10x geriau (1mV vs 10mV) atsargiai išdėstymas.tai dėl to, kad mazgas difuzijos yra lengviau kontroliuoti negu oksido savybės.