Klausimas apie didelio signalo modeliavimas HEMT ADS

[a_ronagh]

Labas

Bandau modelis mikrobangų tranzistorius naudojantis Agilent ADS built-in modeliai.Modelio pavadinimas turiu Pasirinktas EE_HEMT modelis GaAs biblioteka.Aš studijavo modelio detales iš pagalbos failai pateikė Agilent ir po atskyrimo į DC ir AC tuos parametrus, aš bandžiau pirma, kad tilptų Model IV kreives ant matuojama IV charakteristikos prietaisą optimizavimas.Rezultatas buvo puikus.
Tada, atsižvelgiant srovės parametrų nuolatinės ir kintamosios srovės parametrus, tuningas, aš stengiausi, kad tilptų S parametrus rezultatų DC-20GHz į specifinius veiklos vieta.Vėlgi protingą rungtynės tarp modelio ir matavimų rezultatai gali būti pasiekti.Tačiau problema yra ta, kad montuoti galioja tik tam, kad veiklos vieta arba, kitaip tariant daugumos AC parametrus atrodo šališkumas priklausomas.Atsižvelgiant į tai, kad aš bandau rasti didelio signalo modelį, šis prieštaravimas nėra priimtinas.
Ar kas nors žino, kur aš esu priėmimo klaidą?Ar tai ne rasti modelio parametrų būdu?Kas negerai?Ar jūs bet popieriaus arba disertacija apie modeliavimas?

Ačiū visiems iš anksto

 

[kspalla]

Manau, net ir didelis signalas modeliai priklauso šališkumo.
Ar galėčiau paprašyti jūsų pasidalyti dizainas.
Citata:

Tačiau problema yra ta, kad montuoti galioja tik tam, kad veiklos vieta arba, kitaip tariant daugumos AC parametrus atrodo šališkumas priklausomas.

 

[a_ronagh]

Atrodo, kad turiu rasti būdų pagerinti savo modelį, ir aš su juo dirbti.Aš Jus informuos apie visus galimus patobulinimus kaip galima greičiau.Ačiū už Jūsų dėmesį.