interviu klausimą reikia padėti

[ethan]

Dear all, klausimas yra "Kokia yra fizikinę prasmę gm kai MOSFET veikiančių soties?" Aš atsakiau: "Transcoductance gm atspindi nutekėjimo pakeisti dabartinę padalintas į vartus šaltinio įtampos pokyčius. Jis yra prietaiso jautrumą." Tačiau atrodo, nebaigė iš interviu atsiliepimus. Bet tai padeda? nuo intuityviai? Įvertink!

 

[mickey_melomane]

Į soties režimą gm reiškia, kad mano pervesti laidumas yra ne iš "kaitą" nutekėjimo srovė, padalytas iš "keisti" vartų įtampos šaltinio funkcija, tačiau "tiesioginę" funkcija faktinės DC nutekėjimo srovė teka ji .. . ty mažo signalo parametras yra didelio signalo parametras funkcija ... gjm = sqrt (2 * beta * nutekėjimo srovė)

 

[seen25]

brangusis Mickey, iš tikrųjų, ką jūs kalbate, yra lygus Etano atsakyti, ir jus abu yra teisingi, B: Beta MOS SAT: (1) Id = B / 2 * (VGS-Vt) ^ 2 (2) gm = del Id / del VGS naudojant 1 iš 2 suteikia gm = 2 * B / 2 * (VGS-Vt) (Eq 3) iš (1), VGS = sqrt (2Id / B) + Vt (EQ 4) naudojant lygtis 4 EQ 3 vėl duoda gm = B * sqrt (2 * Id / B) = sqrt (2 * B * Id)

 

[thunderr]

tai reiškia, kad tranzistorius yra srovės šaltinis ie.the srovė yra pastovi su kintančios įtampos

 

[n1cm0c]

Ko jie tikisi kaip atsakyti? Kad GM atstovauja vežėjo tankis tranzistoriaus kanalo moduliacija potencialų skirtumą tarp vartų oksidas, atėmus flatband įtampos ir gaudomi spąstais mokestis? Jūsų atsakymas atrodo iš esmės teisinga man. Ar esate tikri, kad jie ne išbandyti savo reakciją į tam neprieštaravo, kai manote, kad sau teisingas? Patinka, jei jūs tapsite proto ir mesti kėdės prie lango?

 

[wallycharlo]

gal jie tiesiog ieško lengvai aprašymas ... ty soties: gm = 2 * ID / vod ID: Drenažo dabartinės vod: overdrive (ekvivalentas VGS-V studijų vyresnio amžiaus technologijos)

 

[lladnar23]

O gal jie norėjo girdėti, kad gm yra ID nuolydis vs VGS kreivė

 

[ravitest]

u turi pasakyti, kai VDS yra pastovus su pirmiau pateiktą apibrėžimą