, siekiant išvengti Psub-nwell diodas, atlikti, kai įtampa yra negetive, izo-NMOS yra naudojamas. dabar problema yra, ar du NMOS gali oksidas plyšimas, procesas turi BDVds> 12V, bet Tox yra 150A, todėl Vgs
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.